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鉬及鉬合金

  • 鉬托盤
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鉬托盤鉬托盤

鉬托盤

  • 牌號:Mo1,Moly361
  • 純度:≥99.95%
  • 規工藝:軋制,線切割,機械加工
  • 規格:根據客戶圖紙和具體要求加工定制
  • 用途:探索高質量的MBE鉬基板,專為分子束外延(MBE)應用設計。我們的鉬基板具有優異的導熱性、高純度和出色的表面平整度,適用于半導體、光電和超導材料的研究與生產。立即獲取定制化解決方案,滿足您的高精度實驗需求。
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1. 產品概述
MBE(分子束外延)鉬基板是一種專為高精度薄膜生長工藝設計的關鍵部件,廣泛應用于半導體、光電材料和量子器件等領域。鉬基板以其優異的熱穩定性、高純度和良好的機械性能,成為MBE設備中不可或缺的核心組件。

2. 產品特點
- 高熔點:鉬的熔點高達2620°C,適合高溫外延生長環境。
- 優異的熱導率:確保基板表面溫度均勻分布,避免局部過熱。
- 高純度:采用高純度鉬材料,減少雜質污染,提升薄膜質量。
- 良好的機械強度:在高應力條件下保持穩定,延長使用壽命。
- 耐腐蝕性:在超高真空和化學活性環境中表現出色。
- 定制化設計:可根據客戶需求提供不同尺寸、形狀和表面處理的基板。

3. 應用領域
- 半導體制造:用于GaAs、GaN、SiC等材料的分子束外延生長。
- 光電材料:用于激光器、探測器等光電器件的外延生長。
- 量子器件:用于量子點、量子阱等納米結構的外延生長。
- 科研實驗:適用于高精度薄膜生長和新材料研究。

4. 技術參數
- 材質:高純度鉬(Mo)
- 熔點:2620°C
- 熱導率:138 W/m·K
- 密度:10.2 g/cm3
- 純度:≥99.95%
- 尺寸:支持定制(直徑、厚度等)
- 表面處理:可提供拋光、涂層等定制化處理

5. 產品優勢
- 高性能:在高溫和超高真空條件下保持穩定,確保外延生長質量。
- 長壽命:耐高溫、耐腐蝕,減少設備停機時間和維護成本。
- 高精度:表面平整度高,確保薄膜生長均勻性。
- 定制化服務:根據客戶需求提供個性化設計和制造服務。
- 優質售后服務:提供全面的技術支持和維護服務。

6. 使用與維護
- 安裝:確保基板與設備匹配,避免機械應力。
- 清潔:定期清理表面污染物,保持高純度和性能。
- 檢查:定期檢查磨損和腐蝕情況,及時更換或維護。

7. 適用設備
- MBE(分子束外延)設備
- 超高真空薄膜沉積設備
- 其他高精度外延生長設備


MBE鉬基板憑借其優異的性能和可靠性,在半導體、光電材料和量子器件等領域發揮著重要作用。無論是大規模生產還是科研實驗,鉬基板都能提供高效、穩定的支持,是MBE設備中的核心組件。

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